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AgTO2型复合氧化物可见光响应光催化材料，其一般式为AgTO2表示的复合氧化物半导体所构成的光催化材料(式中T表示Al，Ga，In，Cr，Fe，Co，Ni元素)。并可以进ξ　行掺杂改性，在AgTO2中掺入一定量的金属，包括：碱金属、碱土金属、过渡族金属、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi元素，采用上述金属的氧化物、氢氧化物、各种无机盐及有机盐类为原料，掺杂量为0.1％－10％(质量分数)。该复合氧化物半导体可以用于光催化分解有害化学物质。作为分解有害化学物质的光催化材料时，其特点是：在包括紫外光及可见光在内的光线照射下，对于有害化学物质能够高效地分解与去除。

申请号­	CN200610037753
申请日	2006.01.13
公开（公告）号­	CN1799690A
公开（公告）日	2006.07.12
IPC分类号	B01J23/50; B01J23/54; B01J23/68; C09D7/12; B01J37/12; B01J37/16; C02F1/30; B01J23/74
申请（专利权）人	南京大学;
发明人	欧阳述昕;邹志刚;
优先权号
优先权日
申请人地址	江苏省南京市汉口路22号;
申请人邮编	210093;
CPC分类号