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                Cu/ZnO-TiO2复合半导体光催化材料㊣ 的制备与表征

                来源:中国凹凸棒土网    03-28 15:35
                O引言ZnO和TiO2两种宽禁带半导体由于在光催化方面显示出的优异性能而倍受关注[1].但是单一半导体在反应中存在易发生光腐蚀、光子利用率低以及氧化还原电势无法调变等缺陷[2],使其应用受到限制.基于此种原因,目前的研究多←以ZnO或TiO2为基础,通过金属离子掺杂、金属负载以及半导体复合等手段进行修饰以优化其性能[3],但是对于ZnO和TiO2复合体系的研究较少,且制备「方法集中于机械混合法[4,5].ZnO和TiO2具有相※近的禁带宽度(Eg=3.2 eV)[2]和交错的能带位置[6],若将二▅者在分子水平上混合并加入金属进行调变,其结果及性质的变化将对光╲催化材料的设计及制备等研究具有①重要意义.本文采用溶胶凝胶法制备了金属负载的复合型半导体ω 材料Cu/ZnO-TiO2,并着重研究了这种材料的晶体结构、化学组成以』及光响应性能.

                    doi:
                    10.3321/j.issn:1001-4861.2004.09.027
                    关键词:
                    复合半导○体材料Cu/ZnO-TiO 光催化剂 结构表征 吸光性质
                    作者:
                    赵春 钟顺和
                    作者单位:
                    天津大学化工学院,天津,300072
                    刊名:
                    无︾机化学学报
                    Journal:
                    CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
                    年,卷(期):
                    2004, 20(9)
                    所属期刊栏目:
                    研究简报
                    分类号:
                    O614.121 O614.24+1 O614.41+1 O643
                    基金项目:
                    国家重点基础研究发展计划∏(973计划)
                    在线出版日期:
                    2004年09月22日
                    页数:
                    6
                    页码:
                    1131-1136

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