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本发明涉及对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法。对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)原料的选取：按含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物、含W的化合物中的M、Fe、Ba、W的摩尔比＝1∶1∶1∶1的比例，选取备用；2)将含M的化合物、含Fe的化合物、含Ba的化合物和含W的化↓合物混合均匀，放入坩埚中研磨成粉末，然后放入马弗炉中缓慢升温到500℃并恒温预∞烧1～24小时，冷却后取出；然后再次研卐磨，再在马弗炉中升温到900～1200℃恒温1～48小时，冷却后研磨，得对可见光响应的↑含钨半导体光催化材料。本发明☆成本低廉、在可⌒见光照射下有很好的吸收，该方法简单易行。

申请号­	CN200810048284
申请日	2008.07.04
公开（公告）号­	CN101301614A
公开（公告）日	2008.11.12
IPC分类号	B01J23/888; C01B3/02; A61L9/22; B01J23/78
申请（专利权）人	武汉〖理工大学;
发明人	夏文兵;戴璐;黄进;王斌;姜壬山;
优先权号
优先权日
申∑　请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号;
申请人邮编	430070;
CPC分类号